STMicroelectronics N-Kanal, FDmesh II Power MOSFET, 10 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, FDmesh
- RS-varenummer:
- 761-2745
- Producentens varenummer:
- STF11NM60ND
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme Kr. 178,80
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 35,46
(ekskl. moms)
Kr. 44,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Plus 11 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
- Sidste 115 enhed(er) afsendes fra 16. november 2026
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 35,46 | - |
| 10 - 99 | Kr. 17,58 | Kr. 178,80 |
| 100 - 499 | Kr. 16,01 | Kr. 1.945,00 |
| 500 + | Kr. 14,51 | Kr. 10.475,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-2745
- Producentens varenummer:
- STF11NM60ND
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | FDmesh II Power MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | FDmesh | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.45Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Højde | 16.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype FDmesh II Power MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie FDmesh | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.45Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.6mm | ||
Højde 16.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220FP, FDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics 1 N-Kanal Enkelt 51 A 600 V Forbedring TO-247, FDmesh