STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, FDmesh

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
165-6595
Producentens varenummer:
STD13NM60ND
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

FDmesh

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

380mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

109W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24.5nC

Portkildespænding maks.

-25V, +25V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.6mm

Højde

2.4mm

Bredde

6.2mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.