STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, FDmesh

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (5 enheder, i en pakke med 5)*

Kr. 118,48

(ekskl. moms)

Kr. 148,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 245 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 23,696Kr. 118,48
50 - 120Kr. 20,45Kr. 102,25
125 +Kr. 16,446Kr. 82,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
791-9285
Producentens varenummer:
STD13NM60ND
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

FDmesh

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

380mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

109W

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

-25V, +25V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.6mm

Højde

2.4mm

Bredde

6.2mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.