STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, FDmesh
- RS-varenummer:
- 791-9285
- Producentens varenummer:
- STD13NM60ND
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 118,48
(ekskl. moms)
Kr. 148,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 245 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 23,696 | Kr. 118,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 791-9285
- Producentens varenummer:
- STD13NM60ND
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | FDmesh | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 380mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 109W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie FDmesh | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 380mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 109W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220FP, FDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V TO-220, FDmesh STP13NM60ND
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-220, FDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, FDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220, FDmesh