STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, FDmesh Nej
- RS-varenummer:
- 920-8736
- Producentens varenummer:
- STP20NM60FD
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.229,70
(ekskl. moms)
Kr. 1.537,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 250 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 24,594 | Kr. 1.229,70 |
| 100 - 450 | Kr. 19,723 | Kr. 986,15 |
| 500 - 950 | Kr. 17,461 | Kr. 873,05 |
| 1000 - 4950 | Kr. 14,731 | Kr. 736,55 |
| 5000 + | Kr. 14,191 | Kr. 709,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-8736
- Producentens varenummer:
- STP20NM60FD
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | FDmesh | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 290mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 192W | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie FDmesh | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 290mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 192W | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V TO-220, FDmesh STP20NM60FD
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V TO-220, FDmesh STP13NM60ND
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V TO-220, FDmesh STP11NM60ND
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V TO-220FP, FDmesh STF11NM60ND
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 600 V TO-247, FDmesh STW34NM60ND
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V TO-247, FDmesh STW20NM60FD
- STMicroelectronics N-Kanal 51 A 600 V TO-247, FDmesh STW55NM60ND
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V DPAK (TO-252), FDmesh STD13NM60ND
