STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 192-4925
- Producentens varenummer:
- STP26N60DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 65,67
(ekskl. moms)
Kr. 82,088
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 56 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 32,835 | Kr. 65,67 |
| 20 - 98 | Kr. 28,91 | Kr. 57,82 |
| 100 - 198 | Kr. 25,805 | Kr. 51,61 |
| 200 + | Kr. 22,18 | Kr. 44,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 192-4925
- Producentens varenummer:
- STP26N60DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 195mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 195mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af MDmesh™ DM6-serien med hurtig genindvindingsdiode. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DM6 meget lav genindvindingsladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med effektiv skifteadfærd for de mest krævende højeffektive bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.
Diode til hurtigt genvindingshus
Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation
Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand
Ekstremt høj dv/dt robusthed
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 600 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 600 V Forbedring TO-220, STO67N60DM6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6.5 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh