STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 61,04

(ekskl. moms)

Kr. 76,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 66 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 30,52Kr. 61,04
10 - 18Kr. 28,725Kr. 57,45
20 - 48Kr. 27,19Kr. 54,38
50 - 98Kr. 25,655Kr. 51,31
100 +Kr. 24,46Kr. 48,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
192-4925
Producentens varenummer:
STP26N60DM6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

15A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

195mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

25 V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

15.75mm

Bredde

4.6 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Denne N-kanal Power MOSFET med høj spænding er en del af MDmesh™ DM6-serien med hurtig genindvindingsdiode. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DM6 meget lav genindvindingsladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med effektiv skifteadfærd for de mest krævende højeffektive bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.

Diode til hurtigt genvindingshus

Sænk RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation

Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand

Ekstremt høj dv/dt robusthed

Zener-beskyttet

Relaterede links