Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF
- RS-varenummer:
- 188-4973
- Producentens varenummer:
- SIHA22N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 112,44
(ekskl. moms)
Kr. 140,55
(inkl. moms)
Tilføj 25 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 1.005 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 22,488 | Kr. 112,44 |
| 25 - 45 | Kr. 20,24 | Kr. 101,20 |
| 50 - 120 | Kr. 19,114 | Kr. 95,57 |
| 125 - 245 | Kr. 17,968 | Kr. 89,84 |
| 250 + | Kr. 16,866 | Kr. 84,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4973
- Producentens varenummer:
- SIHA22N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.182Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 15.3mm | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.182Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 15.3mm | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
EF-serien Power MOSFET med Fast Body Diode.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav indgangskapacitet (Ciss)
Færre skift og ledningstab
ANVENDELSER
Strømforsyninger til server og telekom
Switch-mode strømforsyning (SMPS)
Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-220, SiHP22N60EF
- Vishay Type N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 70 A 600 V Forbedring TO-247, EF
- Vishay Type N-Kanal 28 A 600 V Forbedring TO-263, EF