Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF
- RS-varenummer:
- 200-6817
- Producentens varenummer:
- SIHP125N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 188,94
(ekskl. moms)
Kr. 236,175
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 37,788 | Kr. 188,94 |
| 25 - 45 | Kr. 34,02 | Kr. 170,10 |
| 50 - 120 | Kr. 32,104 | Kr. 160,52 |
| 125 - 245 | Kr. 30,234 | Kr. 151,17 |
| 250 + | Kr. 28,364 | Kr. 141,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6817
- Producentens varenummer:
- SIHP125N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | EF | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie EF | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHP125N60EF-GE3 er en effekt-MOSFET i EF-serien med hurtig diode.
Generation E-serie teknologi
Lavt antal-af-fortjeneste
Lav effektiv kapacitet
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, SIHF
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 650 V Forbedring TO-220, E