Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, EF Nej SiHG33N60EF-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 38,18

(ekskl. moms)

Kr. 47,72

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 484 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 38,18
10 - 24Kr. 35,97
25 - 49Kr. 32,38
50 - 99Kr. 30,51
100 +Kr. 28,67

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
903-4484
Producentens varenummer:
SiHG33N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

EF

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

98mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

103nC

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.31 mm

Højde

20.82mm

Længde

15.87mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET med hurtig diode, EF-serien, Vishay Semiconductor


Reduceret omvendt genopretningstid, omvendt genoprettelsesstrøm og omvendt returstrøm

Lavt figure-of-merit (FOM)

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Øget robusthed på grund af lav omvendt genoprettelsesstrøm

Meget lav portopladning (Qg)

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links