Vishay N-Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, EF
- RS-varenummer:
- 178-0893
- Producentens varenummer:
- SIHG33N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 1.337,05
(ekskl. moms)
Kr. 1.671,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 450 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 26,741 | Kr. 1.337,05 |
| 100 + | Kr. 25,404 | Kr. 1.270,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0893
- Producentens varenummer:
- SIHG33N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 98mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 103nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.31mm | |
| Længde | 15.87mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.82mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 98mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 103nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.31mm | ||
Længde 15.87mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.82mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET med hurtig diode, EF-serien, Vishay Semiconductor
Reduceret omvendt genopretningstid, omvendt genoprettelsesstrøm og omvendt returstrøm
Lavt figure-of-merit (FOM)
Lav indgangskapacitet (Ciss)
Øget robusthed på grund af lav omvendt genoprettelsesstrøm
Meget lav portopladning (Qg)
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 33 A 600 V Forbedring TO-247, EF
- Vishay N-Kanal 70 A 600 V Forbedring TO-247, EF
- Vishay N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-247, EF
- Vishay N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay N-Kanal 16 A 600 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-220, EF