Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, EF

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 1.671,35

(ekskl. moms)

Kr. 2.089,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 450 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 33,427Kr. 1.671,35
100 +Kr. 31,756Kr. 1.587,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-0893
Producentens varenummer:
SIHG33N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-247

Serie

EF

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

98mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

103nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.87mm

Højde

20.82mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET med hurtig diode, EF-serien, Vishay Semiconductor


Reduceret omvendt genopretningstid, omvendt genoprettelsesstrøm og omvendt returstrøm

Lavt figure-of-merit (FOM)

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Øget robusthed på grund af lav omvendt genoprettelsesstrøm

Meget lav portopladning (Qg)

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.