Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, EF Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 1.135,35

(ekskl. moms)

Kr. 1.419,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 22,707Kr. 1.135,35
100 +Kr. 21,571Kr. 1.078,55

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-0893
Producentens varenummer:
SIHG33N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

EF

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

98mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

103nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

20.82mm

Bredde

5.31 mm

Længde

15.87mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET med hurtig diode, EF-serien, Vishay Semiconductor


Reduceret omvendt genopretningstid, omvendt genoprettelsesstrøm og omvendt returstrøm

Lavt figure-of-merit (FOM)

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Øget robusthed på grund af lav omvendt genoprettelsesstrøm

Meget lav portopladning (Qg)

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links