Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6.4 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E
- RS-varenummer:
- 200-6821
- Producentens varenummer:
- SIHP690N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 453,30
(ekskl. moms)
Kr. 566,625
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 25 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 18,132 | Kr. 453,30 |
| 50 - 100 | Kr. 17,042 | Kr. 426,05 |
| 125 - 225 | Kr. 15,415 | Kr. 385,38 |
| 250 - 600 | Kr. 14,505 | Kr. 362,63 |
| 625 + | Kr. 13,602 | Kr. 340,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6821
- Producentens varenummer:
- SIHP690N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHP690N60E-GE3 er en E-serie power MOSFET.
Generation E-serie teknologi
Lavt antal-af-fortjeneste
Lav effektiv kapacitet
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring TO-220, E Nej SIHP690N60E-GE3
- Vishay Type N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring TO-252, E Nej
- Vishay Type N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring TO-252, E Nej SIHD690N60E-GE3
- Vishay Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, E Nej
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 650 V Forbedring TO-220, E Nej
- Vishay Type N-Kanal 35 A 650 V Forbedring TO-220, E Nej
- Vishay Type N-Kanal 35 A 650 V Forbedring TO-220, E Nej SiHP080N60E-GE3
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 650 V Forbedring TO-220, E Nej SiHA690N60E-GE3