Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 6.4 A 650 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E
- RS-varenummer:
- 200-6820
- Producentens varenummer:
- SIHP690N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 200-6820
- Producentens varenummer:
- SIHP690N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 6,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHP690N60E-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industrielle elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående huller, der er velegnet til konventionelle kølelegemer og manuel montering.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 6.4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 700 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 62.5 W effekttab muliggør betydelig termisk håndtering
• 12 nC gate-opladning reducerer drivenergi for hurtigere omskiftning
• 30 V gate-source-tolerance giver mulighed for fleksible gate-drivniveauer
• 6.4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 700 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 62.5 W effekttab muliggør betydelig termisk håndtering
• 12 nC gate-opladning reducerer drivenergi for hurtigere omskiftning
• 30 V gate-source-tolerance giver mulighed for fleksible gate-drivniveauer
Anvendelser
• Velegnet til offline strømforsyninger og højspændingsomformere
• Ideel til gate-trin med motordrev og omskiftning af invertere
• Anvendes sammen med diskrete switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Kan bruges til laboratorieprototyper, der kræver montering gennem hul
• Velegnet til drivertrin i højspændingsbelysningsstyring
• Ideel til gate-trin med motordrev og omskiftning af invertere
• Anvendes sammen med diskrete switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Kan bruges til laboratorieprototyper, der kræver montering gennem hul
• Velegnet til drivertrin i højspændingsbelysningsstyring
Hvilket temperaturområde kan den tåle i krævende installationer?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og passer til barske industrielle miljøer.
Hvilke monterings- og kølingsmuligheder er kompatible med den?
TO-220AB-formatet med gennemgående hul muliggør direkte printkortmontering og fastgørelse til konventionelle køleelementer for forbedret termisk styring.
Hvordan påvirker dens gate-opladning drivervalg?
Med en typisk gate-ladning på 12 nC kræver den moderat gate-drive-kapacitet, hvilket muliggør brug med kompakte drivere og samtidig opretholder rimelige skiftehastigheder.
Er den velegnet til anvendelser i bilkvalitet?
Den er ikke specificeret til at opfylde bilstandarder, så den er mere velegnet til generelle industrielle og kommercielle elektroniske design.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 18 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 29 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 8 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 22 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
