Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 6.4 A 650 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E
- RS-varenummer:
- 200-6820
- Producentens varenummer:
- SIHP690N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 50 enheder)*
Kr. 415,45
(ekskl. moms)
Kr. 519,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 8,309 | Kr. 415,45 |
| 100 - 200 | Kr. 7,809 | Kr. 390,45 |
| 250 + | Kr. 7,063 | Kr. 353,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6820
- Producentens varenummer:
- SIHP690N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie E | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 6,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHP690N60E-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsopgaver i industriel elektronik. Den leveres i en TO-220AB-pakke med hul, der er velegnet til kølelegeme, og er beregnet til ingeniører, der arbejder med styrings-, konverterings- og beskyttelseskredsløb, hvor der kræves robust spændingsholdbarhed og nem montering.
Egenskaber og fordele:
• 650 V Vds til højspændingskontaktkapacitet • 6,4 A kontinuerlig afløbsstrøm, der muliggør moderat belastningshåndtering • 700 mΩ Rds(on) for forudsigelige ledningstab • 12 nC typisk gate-ladning for håndterbar koblingsenergi • 62,5 W effekttab til understøttelse af termisk design • 150 °C maksimal samletemperatur til drift ved høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger • Ideel til motordrev-gate-trinkredsløb • Anvendes til omskiftning af industriel inverterbeskyttelse • Kan bruges til effektfaktorkorrektionstrin • Velegnet til højspændingsrelæ- og kontaktordriverkredsløb
Hvad er det anbefalede gate-spændingsområde til drift af denne enhed?
Enheden accepterer gate-spændinger op til 30 V, så gate-drivere skal vælges til at forblive inden for denne grænse og give tilstrækkeligt drev til den specificerede gate-opladning.
Hvordan skal termisk styring tilgås ved montering?
Brug en kompatibel køleelement på TO-220AB-fanen, og sørg for tilstrækkelig luftstrøm
tæller mærkeværdien for 62,5 W tab ved beregning af temperaturstigning.
Hvilke omgivelsesforhold er acceptable for drift?
Komponenten er specificeret til drift ned til -55 °C, mens den maksimale samlingstemperatur er 150 °C, så designene skal håndtere samlings-til-omgivelses termisk modstand for at holde sig inden for disse grænser.
Er der overvejelser om koblingstab ved høj spænding?
Med en 12 nC gate-ladning og 700 mΩ Rds(on) bør designere balancere gate-drevhastigheden mod koblingstab, især i anvendelser, der skifter ofte ved høje Vds.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring TO-252, E
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 35 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 32 A 650 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay Type N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, SIHF