Vishay N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, SIHP
- RS-varenummer:
- 268-8318
- Producentens varenummer:
- SIHP085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 88,04
(ekskl. moms)
Kr. 110,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 44,02 | Kr. 88,04 |
| 10 - 18 | Kr. 39,57 | Kr. 79,14 |
| 20 - 98 | Kr. 38,785 | Kr. 77,57 |
| 100 - 498 | Kr. 32,35 | Kr. 64,70 |
| 500 + | Kr. 27,60 | Kr. 55,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8318
- Producentens varenummer:
- SIHP085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.084Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 184W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.084Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 184W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHP seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 34 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHP085N60EF-GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til strømkobling i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul til nem montering og termisk styring. Enheden er velegnet til anvendelser, der kræver kontrolleret højspændingsswitching og betydelig kontinuerlig strømhåndtering.
Egenskaber og fordele:
• 650 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 34 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter drift med høj belastning • 0,084 Ω modstand ved tænding reducerer ledningstab • 184 W effekttab giver mulighed for øget effekthåndtering • 63 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelige drevkrav • Maksimal samletemperatur på 150 °C opretholder drift ved høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrevskiftetrin • Ideel til switchede strømforsyninger med højspændingskontakter • Bruges til strømkonvertering i automatiske kontrolsystemer • Kan bruges til inverter-front-end-switching-moduler • Velegnet til laboratorieprøveanlæg, der kræver montering gennem hul
Hvilke overvejelser skal jeg tage hensyn til gate-drevet?
Med en typisk gate-ladning på 63 nC ved Vgs skal du sikre, at gate-driveren kan generere og sænke tilstrækkelig strøm til at opnå den krævede skiftehastighed, mens du styrer EMI.
Hvordan påvirker pakken termisk design?
TO-220AB-formatet med gennemgående hul muliggør nem montering på en køleplade og en enkel termisk sti til styring af op til 184 W tab under korrekte kølepladeforhold.
Hvilket driftsmiljøområde tåler den?
Enheden fungerer fra -55 °C op til en maksimal driftstemperatur på 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i både kolde start- og høje temperaturinstallationer.
Hvordan skal jeg beskytte enheden mod overspændingshændelser?
Da transistoren har en maksimal drain-source-spænding på 650 V og en gategrænse på 30 V, skal du inkludere passende snubbere, klemdioder eller transientundertrykkere og sikre, at gate-drev aldrig overskrider gate-source-grænsen.