Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, SIHP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 88,04

(ekskl. moms)

Kr. 110,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 44,02Kr. 88,04
10 - 18Kr. 39,57Kr. 79,14
20 - 98Kr. 38,785Kr. 77,57
100 - 498Kr. 32,35Kr. 64,70
500 +Kr. 27,60Kr. 55,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
268-8318
Producentens varenummer:
SIHP085N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SIHP

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.084Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

184W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHP seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 34 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHP085N60EF-GE3


Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til strømkobling i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul til nem montering og termisk styring. Enheden er velegnet til anvendelser, der kræver kontrolleret højspændingsswitching og betydelig kontinuerlig strømhåndtering.

Egenskaber og fordele:


• 650 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 34 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter drift med høj belastning • 0,084 Ω modstand ved tænding reducerer ledningstab • 184 W effekttab giver mulighed for øget effekthåndtering • 63 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelige drevkrav • Maksimal samletemperatur på 150 °C opretholder drift ved høje temperaturer

Anvendelser


• Velegnet til industrielle motordrevskiftetrin • Ideel til switchede strømforsyninger med højspændingskontakter • Bruges til strømkonvertering i automatiske kontrolsystemer • Kan bruges til inverter-front-end-switching-moduler • Velegnet til laboratorieprøveanlæg, der kræver montering gennem hul

Hvilke overvejelser skal jeg tage hensyn til gate-drevet?


Med en typisk gate-ladning på 63 nC ved Vgs skal du sikre, at gate-driveren kan generere og sænke tilstrækkelig strøm til at opnå den krævede skiftehastighed, mens du styrer EMI.

Hvordan påvirker pakken termisk design?


TO-220AB-formatet med gennemgående hul muliggør nem montering på en køleplade og en enkel termisk sti til styring af op til 184 W tab under korrekte kølepladeforhold.

Hvilket driftsmiljøområde tåler den?


Enheden fungerer fra -55 °C op til en maksimal driftstemperatur på 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i både kolde start- og høje temperaturinstallationer.

Hvordan skal jeg beskytte enheden mod overspændingshændelser?


Da transistoren har en maksimal drain-source-spænding på 650 V og en gategrænse på 30 V, skal du inkludere passende snubbere, klemdioder eller transientundertrykkere og sikre, at gate-drev aldrig overskrider gate-source-grænsen.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.