Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, SIHP
- RS-varenummer:
- 268-8318
- Producentens varenummer:
- SIHP085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 122,07
(ekskl. moms)
Kr. 152,588
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.000 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 61,035 | Kr. 122,07 |
| 10 - 18 | Kr. 54,905 | Kr. 109,81 |
| 20 - 98 | Kr. 53,78 | Kr. 107,56 |
| 100 - 498 | Kr. 44,88 | Kr. 89,76 |
| 500 + | Kr. 38,225 | Kr. 76,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8318
- Producentens varenummer:
- SIHP085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SIHP | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.084Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 184W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SIHP | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.084Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 184W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay EF-seriens effekt MOSFET med hurtig husdiode og 4-generations E-seriens teknologi, som har reduceret skifte- og ledningstab, og den bruges i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og korrekt effektfaktor
Lav effektiv kapacitet
Nominel lavineenergi
Lavt tal for fortjeneste
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay Type N-Kanal 35 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay Type N-Kanal 21 A 600 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, ThunderFET
- Vishay Type N-Kanal 6 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB, D Series
- Vishay Type N-Kanal 8.7 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, D Series
