Vishay N-Kanal, MOSFET, 21 A 600 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, SIHP

Denne MOSFET er en N-kanal-transistor med gennemgående hul, der er designet til højspændingsswitching og strømforsyningsanvendelser. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og leveres i en TO-220AB-pakke, der er velegnet til konventionel kølelegeme og panelmontering. Enheden er beregnet til teknikere, der har brug for en robust halvleder til diskrete effekttrin og koblingstopologier, hvor der er behov for en kombination af spændingsevne og termisk modstandsdygtighed.

• 600 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 21 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.157 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 179 W effekttab giver mulighed for højere termisk belastning
• 38 nC typisk gate-ladning for håndterbar koblingsenergi
• 30 V gate-tolerance understøtter brede gate-drivspændinger

• Velegnet til lysnet- og højspændingsomskiftere
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der kræver en robust termisk margen
• Ideel til industrielle motordrevstrin
• Kan bruges til DC/DC-omformere med højspændingsskinner
• Anvendes til generel omskiftning i effektelektronik

Den er specificeret til drift mellem -55 °C og 150 °C, hvilket muliggør brug i barske termiske miljøer.

TO-220AB-formatet giver en metalflig til direkte fastgørelse til kølelegemer, hvilket forbedrer varmeoverførslen for høj dissipation.

Den maksimale gate-til-kilde-spænding er 30 V, så gate-drivere bør begrænses til denne værdi for at undgå overbelastning.

Den opfylder RoHS-kravene og begrænser visse farlige stoffer i sin konstruktion.