Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, SIHP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 887,20

(ekskl. moms)

Kr. 1.109,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 1.000 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 17,744Kr. 887,20
100 - 450Kr. 14,815Kr. 740,75
500 - 950Kr. 14,634Kr. 731,70
1000 +Kr. 14,458Kr. 722,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8317
Producentens varenummer:
SIHP085N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SIHP

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.084Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

184W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHP seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 34 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHP085N60EF-GE3


Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til strømkobling i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul til nem montering og termisk styring. Enheden er velegnet til anvendelser, der kræver kontrolleret højspændingsswitching og betydelig kontinuerlig strømhåndtering.

Egenskaber og fordele:


• 650 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 34 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter drift med høj belastning • 0,084 Ω modstand ved tænding reducerer ledningstab • 184 W effekttab giver mulighed for øget effekthåndtering • 63 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelige drevkrav • Maksimal samletemperatur på 150 °C opretholder drift ved høje temperaturer

Anvendelser


• Velegnet til industrielle motordrevskiftetrin • Ideel til switchede strømforsyninger med højspændingskontakter • Bruges til strømkonvertering i automatiske kontrolsystemer • Kan bruges til inverter-front-end-switching-moduler • Velegnet til laboratorieprøveanlæg, der kræver montering gennem hul

Hvilke overvejelser skal jeg tage hensyn til gate-drevet?


Med en typisk gate-ladning på 63 nC ved Vgs skal du sikre, at gate-driveren kan generere og sænke tilstrækkelig strøm til at opnå den krævede skiftehastighed, mens du styrer EMI.

Hvordan påvirker pakken termisk design?


TO-220AB-formatet med gennemgående hul muliggør nem montering på en køleplade og en enkel termisk sti til styring af op til 184 W tab under korrekte kølepladeforhold.

Hvilket driftsmiljøområde tåler den?


Enheden fungerer fra -55 °C op til en maksimal driftstemperatur på 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i både kolde start- og høje temperaturinstallationer.

Hvordan skal jeg beskytte enheden mod overspændingshændelser?


Da transistoren har en maksimal drain-source-spænding på 650 V og en gategrænse på 30 V, skal du inkludere passende snubbere, klemdioder eller transientundertrykkere og sikre, at gate-drev aldrig overskrider gate-source-grænsen.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.