Vishay N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, SIHP
- RS-varenummer:
- 268-8317
- Producentens varenummer:
- SIHP085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
(Leveres i pakke af 2)
Kr. 88,04
(ekskl. moms)
Kr. 110,05
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 268-8317
- Producentens varenummer:
- SIHP085N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SIHP | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.084Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 184W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SIHP | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.084Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 184W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHP seriens MOSFET, 650 V drain source-spænding, 34 A kontinuerlig drain-strøm - SIHP085N60EF-GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til montering med gennemgående hul i krævende strømkredsløb. Den fungerer over et bredt temperaturområde, hvilket gør den velegnet til miljøer, hvor der kræves termisk robusthed, og den giver en betydelig kontinuerlig strømkapacitet og spændingshåndtering til konverterings- og skifteopgaver.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 34 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige anvendelser
• 0.084 Ω lav RDS(on) minimerer ledningstab
• 184 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 63 nC typisk gate-ladning muliggør kontrollerede skifteovergange
• 1.2 V fremadgående spænding reducerer faldet i ledningsevnen mellem hus og diode
• 34 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige anvendelser
• 0.084 Ω lav RDS(on) minimerer ledningstab
• 184 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 63 nC typisk gate-ladning muliggør kontrollerede skifteovergange
• 1.2 V fremadgående spænding reducerer faldet i ledningsevnen mellem hus og diode
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere
• Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielle systemer
• Anvendes til motordrevstrin, der kræver høj strømstyrkehåndtering
• Kan bruges til hard-switching-topologier og energigenvinding
• Velegnet til laboratorie- og prototypefremstilling med montering gennem hul
• Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielle systemer
• Anvendes til motordrevstrin, der kræver høj strømstyrkehåndtering
• Kan bruges til hard-switching-topologier og energigenvinding
• Velegnet til laboratorie- og prototypefremstilling med montering gennem hul
Hvilken monteringsmetode er nødvendig til kortmontering?
Den leveres i en TO-220AB-pakke, der er beregnet til montering gennem huller og standard kølelegeme.
Hvilke gate-drevspændingsgrænser skal jeg overholde?
Den maksimale gate-source-spænding er 30 V, så gate-drive-kredsløb skal holde sig inden for denne grænse for at undgå skader.
Hvordan tåler den ekstreme temperaturer under drift?
Enheden er klassificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug på tværs af brede omgivelses- og forhøjede forbindelsestemperaturer.
Hvilken polaritet og tilstand præsenterer kanalen for kredsløbsdesign?
Det er en N-kanal-forbedringsenhed, der kræver positiv gate-bias i forhold til kilden til ledning.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 22 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 47 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 21 A 600 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 18 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E