Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 29 A 650 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, EF
- RS-varenummer:
- 200-6794
- Producentens varenummer:
- SiHP105N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 50 enheder)*
Kr. 1.095,05
(ekskl. moms)
Kr. 1.368,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 50 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 21,901 | Kr. 1.095,05 |
| 100 - 200 | Kr. 20,588 | Kr. 1.029,40 |
| 250 + | Kr. 18,616 | Kr. 930,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6794
- Producentens varenummer:
- SiHP105N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 88mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.65mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 14.4mm | |
| Længde | 10.52mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 88mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.65mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 14.4mm | ||
Længde 10.52mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay EF seriens Power MOSFET, 650 V drain source spænding, 29 A kontinuerlig drain strøm - SiHP105N60EF-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændingsswitch-enhed, der er designet til krævende roller for strømkonvertering og styring i industrielle og elektroniske systemer. Det er en N-kanal-forstærkningstransistor, der leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul, der er beregnet til at håndtere høje spændinger og vedvarende strømme, mens den fungerer over et bredt temperaturområde.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 29 A kontinuerlig afløbskapacitet understøtter betydelige belastningsstrømme
• 208 W maks. tab muliggør håndtering af høj effekt
• 88 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab ved nominelle forhold
• 53 nC typisk gate-ladning optimerer krav til koblingsenergi og drev
• 30 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drevmargener
• 29 A kontinuerlig afløbskapacitet understøtter betydelige belastningsstrømme
• 208 W maks. tab muliggør håndtering af høj effekt
• 88 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab ved nominelle forhold
• 53 nC typisk gate-ladning optimerer krav til koblingsenergi og drev
• 30 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drevmargener
Anvendelser
• Velegnet til SMPS-switching-trin på primærsiden
• Ideel til industrielle motordrev-invertersektioner
• Anvendes til højspændings DC-DC-konvertere i strømforsyninger
• Kan bruges til udstyr til elektronisk belastning og strømtest
• Anvendes sammen med diskrete kontakttopologier i effektfaktorkorrektion
• Ideel til industrielle motordrev-invertersektioner
• Anvendes til højspændings DC-DC-konvertere i strømforsyninger
• Kan bruges til udstyr til elektronisk belastning og strømtest
• Anvendes sammen med diskrete kontakttopologier i effektfaktorkorrektion
Hvilke termiske ekstremer kan den modstå under drift?
Enheden er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i både miljøer med koldstart og installationer med forhøjet temperatur.
Hvordan monteres og integreres den i et printkortdesign?
Den bruger en TO-220AB-pakke med gennemgående hul med tre ben og en monteringsflig til kølelegeme, hvilket giver mulighed for nem fastgørelse af kortet og termisk styring via en kølelegeme, der er fastgjort til fangen.
Hvilke hensyn til gate-driver skal overholdes?
Den maksimale gate-til-kilde nominel spænding er 30 V
portdrevspændinger skal holdes inden for denne grænse og tilpasses den typiske portladning på 53 nC for at sikre effektiv omskiftning uden overbelastning af porten.
Hvilken fremadgående spændingskarakteristik er relevant under ledning?
Den fremadrettede spænding er 1,2 V, hvilket informerer beregninger af ledningstab i lavspændingsstrømbaner og ydeevnevurderinger af husdiode.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 29 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 18 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 8 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 20 A 800 V JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay 1 N-Kanal Enkelt 21 A 600 V JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E