Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 95 A 650 V Udtømning, 3 Ben, TO-247AC, EF AEC-Q101

RS-varenummer:: 239-8628
Producentens varenummer:: SIHG026N60EF-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 95 A 650 V Udtømning, 3 Ben, TO-247AC, EF AEC-Q101

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 1.236,90

(ekskl. moms)

Kr. 1.546,125

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 475 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
25 +	Kr. 49,476	Kr. 1.236,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 239-8628
Producentens varenummer:: SIHG026N60EF-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	95A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Serie	EF
	Emballagetype	TO-247AC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.023Ω
	Kanalform	Udtømning
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	63nC
	Portkildespænding maks.	30V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	521W
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 95A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Serie EF
	Emballagetype TO-247AC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.023Ω
	Kanalform Udtømning
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC
	Portkildespænding maks. 30V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 521W
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SIHG026N60EF-GE3

Vishay EF seriens Power MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 95 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHG026N60EF-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til krævende miljøer med strøm-elektronik, især i biler og industrielle systemer. Den fungerer som en enhed af N-typen med udtømningskanal i en pakke med gennemgående hul overflade, der er velegnet til ingeniører, der kræver robust termisk og elektrisk ydeevne over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 95 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning • 0,023 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning • 521 W effekttab muliggør vedvarende termisk ydeevne • 63 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteadfærd • 30 V gate-tolerance sikrer kompatibilitet med almindelige driftsspændinger

Anvendelser

• Velegnet til trækkraftomformertrin i køretøjselektronik • Ideel til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Anvendes til industrielle motordrevskontaktmoduler • Kan bruges til DC-DC-konvertering med høj strømstyrke i automatiseringssystemer

Hvilken monteringstype bruger denne enhed, og hvorfor er det vigtigt?

Den leveres i en TO-247AC overflademonteret pakke, der letter sikker varmeafledning og nem PCB- eller kølelegemetilslutning for effektiv termisk styring.

Hvordan fungerer enheden over ekstreme temperaturer?

Transistoren er mærket til drift fra -55 til +150 °C, hvilket muliggør brug i barske omgivelsesforhold og kabinetter med høje temperaturer.

Hvilke overvejelser om gate-driver skal overholdes?

Den maksimale Vgs er 30 V

Designere bør sikre, at gate-drivere ikke overstiger dette niveau for at forhindre overbelastning af porten og sikre pålidelig omskiftning.

Hvilken standard adresserer dens egnethed til brug i biler?

Den opfylder AEC-Q101-standarden for biler, hvilket angiver, at den er kvalificeret til elektroniske anvendelser i køretøjer under denne specifikation.