Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 6 A 850 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

RS-varenummer:: 239-8619
Producentens varenummer:: SIHA15N80AEF-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 6 A 850 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

Indhold (50 enheder, i en tube med 50)*

Kr. 400,75

(ekskl. moms)

Kr. 500,95

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 +	Kr. 8,015	Kr. 400,75

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 239-8619
Producentens varenummer:: SIHA15N80AEF-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	6A
	Drain source spænding maks. Vds	850V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	EF
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.35Ω
	Kanalform	Udtømning
	Portkildespænding maks.	30V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	54nC
	Effektafsættelse maks. Pd	33W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A
	Drain source spænding maks. Vds 850V
	Emballagetype TO-220
	Serie EF
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.35Ω
	Kanalform Udtømning
	Portkildespænding maks. 30V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC
	Effektafsættelse maks. Pd 33W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SIHA15N80AEF-GE3

Vishay EF seriens Power MOSFET, 850 V drain source spænding, 6 A kontinuerlig drain strøm - SIHA15N80AEF-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings, N-kanals halvlederenhed, der er designet til koblings- og strømstyringsopgaver i krævende miljøer. Den leveres i et TO-220-pakke til overflademontering og er beregnet til anvendelser, der kræver robust højspændingskapacitet, kontrolleret portadfærd og drift over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:

• 850 V afløbsspænding muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 6 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter belastninger med mellemstor effekt
• 0.35 Ω Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 33 W effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering
• 54 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigeligt gate-driver-design
• ±30 V portklassificering beskytter mod overdreven portbelastning

Anvendelser

• Velegnet til industrielle højspændingsstrømomformere
• Ideel til elektronik i biler, der opfylder AEC-Q101-kravene
• Anvendes sammen med switch-mode strømforsyninger og invertere
• Kan bruges til front-end-kobling af motordrev
• Velegnet til hjælpestrømforsyninger i barske miljøer

Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til +150 °C for bred omgivelses- og samlingstolerance.

Hvordan påvirkes gate-drive-design af enheden?

Den typiske gate-ladning på 54 nC definerer gate-energikravet og informerer om kompromiser mellem driverstrøm og skiftehastighed.

Hvilke hensyn til emballage og montering gælder?

TO-220-pakken leveres til overflademontering og giver praktiske termiske tilslutningsmuligheder til kølelegeme.

Hvilken polaritet og kanaladfærd skal designere forvente?

Enheden er en N-kanal-transistor med udtømningstilstand, der kræver passende bias- og styringsstrategier i kredsløbsdesign.