Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6.5 A 850 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101 SiHA17N80AEF-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 49,82

(ekskl. moms)

Kr. 62,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.050 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 24,91Kr. 49,82
20 - 98Kr. 23,375Kr. 46,75
100 - 198Kr. 21,13Kr. 42,26
200 - 498Kr. 19,935Kr. 39,87
500 +Kr. 18,665Kr. 37,33

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-8622
Producentens varenummer:
SiHA17N80AEF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.5A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Serie

EF

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.31Ω

Kanalform

Udtømning

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

47nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay EF-serien er power MOSFET med hurtig husdiode. Denne MOSFET, der bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyning, svejsning og motordrev.

Lavt tal for fortjeneste

Lav effektiv kapacitet

Lavt skift og ledningstab

Relaterede links