Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 6.5 A 850 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-8622
- Producentens varenummer:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 53,86
(ekskl. moms)
Kr. 67,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 26,93 | Kr. 53,86 |
| 20 - 98 | Kr. 25,28 | Kr. 50,56 |
| 100 - 198 | Kr. 22,85 | Kr. 45,70 |
| 200 - 498 | Kr. 21,54 | Kr. 43,08 |
| 500 + | Kr. 20,195 | Kr. 40,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8622
- Producentens varenummer:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Serie | EF | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.305Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Serie EF | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.305Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay EF-serie Power MOSFET, 850 V maksimal drain source-spænding, 6,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SiHA17N80AEF-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i krævende elektroniske systemer. Den leveres i en TO-220-pakke, der er beregnet til overflademontering, og understøtter udvidede driftstemperaturer, hvilket gør den velegnet til anvendelser, der kræver ydeevne i et bredt termisk område og robusthed i bilklasse.
Egenskaber og fordele:
• 850 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 6.5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 0.305 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 63 nC typisk gate-ladning sænker energibehovet ved omskiftning
• 34 W maks. effekttab håndterer termisk belastning under drift
• Driftsområde fra -55 °C til +150 °C modstår ekstreme temperaturer
• 6.5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 0.305 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 63 nC typisk gate-ladning sænker energibehovet ved omskiftning
• 34 W maks. effekttab håndterer termisk belastning under drift
• Driftsområde fra -55 °C til +150 °C modstår ekstreme temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere
• Ideel til elektronik i biler, der opfylder AEC-Q101-kravene
• Anvendes sammen med industrielle motordrev, der kræver robust omskiftning
• Kan bruges til SMPS-trin, der håndterer højspændingsskinner
• Anvendes til strømswitching i grænseflader til vedvarende energi
• Ideel til elektronik i biler, der opfylder AEC-Q101-kravene
• Anvendes sammen med industrielle motordrev, der kræver robust omskiftning
• Kan bruges til SMPS-trin, der håndterer højspændingsskinner
• Anvendes til strømswitching i grænseflader til vedvarende energi
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes for sikker drift?
Enheden må ikke overstige en gate-source-spænding på 30 V for at forhindre gate-oxid-belastning.
Hvordan påvirker emballagen termisk håndtering?
TO-220-pakken giver mulighed for effektiv varmeafledning og understøtter det angivne effekttab på 34 W, når det monteres korrekt.
Hvilke kanalegenskaber påvirker valg af kredsløbstopologi?
Da den er en N-kanal-udtømningsenhed, leder den uden gate-drev og kræver gate-bias-strategier for at styre off-state-adfærd.
Er enheden velegnet til regulerede bilmiljøer?
Den er i overensstemmelse med AEC-Q101 bilstandarder og er specificeret til udvidede temperaturgrænser for at opfylde krav til køretøjssystemer.