Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6.5 A 850 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101 SiHA17N80AEF-GE3
- RS-varenummer:
- 239-8622
- Producentens varenummer:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 49,82
(ekskl. moms)
Kr. 62,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.050 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 24,91 | Kr. 49,82 |
| 20 - 98 | Kr. 23,375 | Kr. 46,75 |
| 100 - 198 | Kr. 21,13 | Kr. 42,26 |
| 200 - 498 | Kr. 19,935 | Kr. 39,87 |
| 500 + | Kr. 18,665 | Kr. 37,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8622
- Producentens varenummer:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Serie | EF | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.31Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Serie EF | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.31Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay EF-serien er power MOSFET med hurtig husdiode. Denne MOSFET, der bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyning, svejsning og motordrev.
Lavt tal for fortjeneste
Lav effektiv kapacitet
Lavt skift og ledningstab
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 6 3 ben, TO-220 FP SiHA17N80AEF-GE3
- Vishay N-Kanal 7 A 850 V TO-220 FP SIHA21N80AEF-GE3
- Vishay N-Kanal 6 A 850 V TO-220 FP SIHA15N80AEF-GE3
- Vishay N-Kanal 3 A 850 V TO-220 FP, E Series SiHA5N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 9 A 850 V TO-220 FP, E Series SIHA24N80AE-GE3
- Infineon N-Kanal 6 3 ben CoolMOS™ P7 IPA70R750P7SXKSA1
- Vishay N-Kanal 7 3 ben E SIHA21N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 11 A 600 V TO-220 FP, SiHA125N60EF SIHA125N60EF-GE3
