Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- RS-varenummer:
- 215-2483
- Producentens varenummer:
- IPA70R750P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 286,35
(ekskl. moms)
Kr. 357,95
(inkl. moms)
Tilføj 150 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 250 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,727 | Kr. 286,35 |
| 100 - 200 | Kr. 4,409 | Kr. 220,45 |
| 250 - 450 | Kr. 4,123 | Kr. 206,15 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,836 | Kr. 191,80 |
| 1250 + | Kr. 3,552 | Kr. 177,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2483
- Producentens varenummer:
- IPA70R750P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 21.2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 21.2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, f.eks. mobiltelefonopladere eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer sammenlignet med de superjunction-teknologier, der anvendes i dag. Teknologien lever op til de højeste effektivitetsstandarder og understøtter høj effekttæthed, hvilket gør det muligt for kunderne at gå i retning af et meget slankt design. Den nyeste CoolMOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv.
Ekstremt lave tab pga. meget lave FOMRDS(on) * QG og RDS(on) * Eoss
Fremragende termisk ydelse
Integreret ESD-beskyttelsesdiode
Lavt skiftetab (Eoss)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V N TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 10 A 700 V N TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 10 A 700 V P TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring SOT-223, 700V CoolMOS P7