Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SiHG21N80AE Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 672,675

(ekskl. moms)

Kr. 840,85

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 25 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 - 25Kr. 26,907Kr. 672,68
50 - 100Kr. 25,291Kr. 632,28
125 +Kr. 22,871Kr. 571,78

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4876
Producentens varenummer:
SIHG21N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17.4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

SiHG21N80AE

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

235mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Effektafsættelse maks. Pd

32W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

15.87mm

Højde

20.82mm

Bredde

5.31 mm

Bilindustristandarder

Nej

Power MOSFET i E-serien.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Færre skift og ledningstab

ANVENDELSER

Strømforsyninger til server og telekom

Switch-mode strømforsyning (SMPS)

Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)

Relaterede links