Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, E
- RS-varenummer:
- 188-4876
- Producentens varenummer:
- SIHG21N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 531,825
(ekskl. moms)
Kr. 664,775
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 21,273 | Kr. 531,83 |
| 50 - 100 | Kr. 19,998 | Kr. 499,95 |
| 125 + | Kr. 18,081 | Kr. 452,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4876
- Producentens varenummer:
- SIHG21N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 235mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5.31mm | |
| Længde | 15.87mm | |
| Højde | 20.82mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-247AC | ||
Serie E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 235mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5.31mm | ||
Længde 15.87mm | ||
Højde 20.82mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E Power MOSFET, 800 V drain source spænding, 17,4 A drain strøm - SIHG21N80AE-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industrielle miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde, understøtter en betydelig kontinuerlig strøm og leveres i en TO-247AC-pakke med gennemgående huller, der er velegnet til anvendelser, der kræver robust montering og nem termisk interface.
Egenskaber og fordele:
• 800 V blokeringsevne, der muliggør højspændingssystemdesign • 17,4 A kontinuerlig drænstrøm til betydelig belastningshåndtering • 235 mΩ Rds(on) for at reducere ledningstab under belastning • 48 nC typisk gate-ladning for forudsigelig omskiftning • 179 W effekttabskapacitet til krævende effekttrin • Mærkeværdi op til 150 °C for drift ved høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrev invertertrin • Ideel til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Anvendes til design af vedvarende energinvertere og PV-optimerere • Kan bruges til trækkraft- og strømforsyningselektronik • Velegnet til hard-switched og soft-switched halvledertrin
Hvilke monteringsbetingelser gælder for termisk styring?
Formatet med gennemgående hul TO-247AC muliggør direkte boltning til køleelementer og effektiv brug af isoleringspuder eller termisk sammensætning til overførsel af dissiperet effekt til ekstern køling.
Hvordan påvirker den nominelle gate-source-spænding designet af gate-drev?
Med en maksimal gate-source-tolerance på 30 V skal gate-drivere vælges til at fungere inden for dette vindue og give tilstrækkeligt drev til at opnå den specificerede gate-ladning uden at overskride spændingsgrænsen.
Hvilke miljømæssige ekstremer kan den tolerere under drift?
Enheden er specificeret til at fungere ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i installationer med brede omgivelses- og samletemperaturer.
Hvilken elektrisk parameter dikterer hensyn til koblingsenergi?
Den typiske gate-ladning på 48 nC kombineret med enhedens tændt modstand og mærkespænding bestemmer primært energitab under tænding og slukning.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-247, SiHG21N80AE
- Vishay Type N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-247, SiHW21N80AE
- Vishay Type N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-kanal-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, SIHB21N80AE
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V TO-247, EF
