Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 25 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E

RS-varenummer:: 228-2841
Producentens varenummer:: SIHB120N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 25 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 14.433,60

(ekskl. moms)

Kr. 18.041,60

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 31. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
800 +	Kr. 18,042	Kr. 14.433,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 228-2841
Producentens varenummer:: SIHB120N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	25A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	E
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	120mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	179W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	30nC
	Portkildespænding maks.	30V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype TO-263
	Serie E
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 120mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 179W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC
	Portkildespænding maks. 30V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHB120N60E-T1-GE3

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 25 A kontinuerlig drain-strøm - SIHB120N60E-T1-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser i industrielle og automatiseringsmiljøer. Den fungerer som en N-kanalforbedringsenhed, der er velegnet til strømkonverterings- og omskiftningsopgaver, hvor der kræves robust spændingshåndtering og betydelig strømstrøm. Komponenten leveres i en TO‐263-pakke med tre terminaler og er beregnet til brug over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 25 A kontinuerlig drænstrøm understøtter vedvarende belastningsforhold
• 120 mΩ ON-modstand reducerer ledningstab under belastning
• 179 W effekttab giver mulighed for betydelig termisk overflade
• 30 V gate-tolerance muliggør fleksible gate-drivspændinger
• Typisk gate-opladning 30 nC hastigheder skifteovergange

Anvendelser

• Velegnet til industrielle motordrevomformere, der håndterer høje spændinger
• Ideel til SMPS og strømforsyning front-end koblingstrin
• Anvendes til LED-drivere og lampestyring, der kræver høj VDS
• Kan bruges til invertertrin i vedvarende energisystemer
• Velegnet til generel højspændingsswitching inden for automatisering

Hvilke ekstreme temperaturer kan denne enhed tolerere under drift?

Den er klassificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer.

Hvordan påvirker pakken monteringen og den termiske ydeevne?

TO-263-pakken til overflademontering letter montering på loddet printkort og tilbyder en termisk vej, der er velegnet til varmeafledning via printkortkobber og eksterne fittings.

Hvilke overvejelser om gate-drev skal overholdes for pålidelig omskiftning?

Hold gate-spændingen inden for ±30 V og tænk over den typiske 30 nC gate-ladning, når du designer driverkredsløb for at sikre tilstrækkelig drivstrøm og skiftehastighed.

Er der begrænsninger for brug i biler?

Det er ikke specificeret, at det opfylder bilstandarder, så det bør ikke antages, at det er velegnet til certificerede bilanvendelser.