Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 51 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK, E
- RS-varenummer:
- 653-178
- Producentens varenummer:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 49,29
(ekskl. moms)
Kr. 61,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 49,29 |
| 10 - 49 | Kr. 47,87 |
| 50 - 99 | Kr. 46,30 |
| 100 + | Kr. 39,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-178
- Producentens varenummer:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.084Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 7.9mm | |
| Længde | 8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie E | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.084Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 7.9mm | ||
Længde 8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay seriens E Power MOSFET, 600 V drain source spænding, 51 A drain strøm - SIHM080N60E-T1-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændingsomskifterenhed, der er beregnet til strømkonverterings- og styringsanvendelser i industriel elektronik. Den fungerer som en N-kanal-transistor med forbedringstilstand, der er designet til at håndtere høje drain-til-kilde-spændinger, mens den fungerer på printmonterede enheder. Dens konstruktion er velegnet til krævende termiske miljøer og standardfremstillingsprocesser.
Egenskaber og fordele:
• 600 V mærkeværdi til højspændingskoblingsanvendelser • 51 A kontinuerlig afløbsstrøm til betydelig belastningshåndtering • 0,084 Ω Rds(on) for reducerede ledningstab • 42 nC typisk portladning til forudsigelig portdrevstørrelse • 500 W effekttab for øget effekthåndteringsevne • 150 °C maksimal driftstemperatur for høj temperaturtolerance
Anvendelser
• Velegnet til switch-mode strømforsyninger i industriel automatisering • Ideel til motordrev invertertrin i produktionsudstyr • Anvendes til højspændings DC-DC-konvertere i strømfordeling • Kan bruges til hard-switched topologier i testplader • Velegnet til mellemkredsløb i vekselrettere til vedvarende energi
Hvilken monteringstype kræves der til implementering af kredsløb?
Den er designet til printkortmontering ved hjælp af en PowerPAK-pakke med fire ben for at lette termisk og elektrisk tilslutning.
Hvordan skal gate-drivspændinger vælges?
Gate-drive-amplituden må ikke overstige ±30 V gate-source-grænse og bør vælges for at balancere skiftehastigheden med 42 nC gate-ladning for at styre tab.
Hvilken omgivelsestemperatur kan den arbejde inden for?
Enheden understøtter drift ned til -55 °C og op til 150 °C forbindelsestemperatur, hvilket muliggør brug på tværs af en lang række miljøforhold.
Hvordan hjælper pakken med termisk styring?
PowerPAK-formfaktoren giver en kompakt termisk vej til printkortet, hvilket bidrager til at sprede op til de specificerede 500 W under passende kølestrategier på kortniveau.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 51 A 600 V Forbedring PowerPAK, SIHM080N60E
- Vishay Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay Type N-Kanal 32 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay Type N-Kanal 62.8 A 40 V Forbedring PowerPAK, SIS4406DN
- Vishay Dual N-Kanal 7.1 A 100 V Forbedring PowerPAK, SIS9122
- Vishay Type N-Kanal 5.9 A 100 V Forbedring PowerPAK, SIB4122DK
- Vishay Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK, SIS5712DN
- Vishay Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK, SIR5712DP