Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK, E Nej SIHH26N60E-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 40,99

(ekskl. moms)

Kr. 51,24

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 40,99
10 - 49Kr. 30,44
50 - 99Kr. 25,51
100 - 249Kr. 22,51
250 +Kr. 21,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
124-2251
Producentens varenummer:
SIHH26N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

PowerPAK

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

135mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

77nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

202W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1mm

Bredde

8.1 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

8.1mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TW

N-kanal MOSFET, E-serien, lavt Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor


E-serien Power MOSFET'er fra Vishay er højspændingstransistorer med meget lav maksimal modstand ved tændt, lav figure-of-merit og hurtigt skift. De findes i et bredt udvalg af mærkestrømme. Typiske anvendelser omfatter servere og strømforsyninger til telekommunikation, LED-belysning, flyback-konvertere, effektfaktorkorrektion (PFC) og switch-mode strømforsyninger (SMPS).

Funktioner


Lavt figure-of-Merit (FOM) RDS(on) x Qg

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Lav modstand ved tændt (RDS(on))

Meget lav portopladning (Qg)

Hurtigt skift

Færre skift og ledningstab

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links