Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

RS-varenummer:: 279-9913
Producentens varenummer:: SIHH150N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 57.135,00

(ekskl. moms)

Kr. 71.418,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 19,045	Kr. 57.135,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 279-9913
Producentens varenummer:: SIHH150N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	19A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Serie	SIHH
	Emballagetype	PowerPAK 8 x 8 L
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	0.158Ω
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	36nC
	Effektafsættelse maks. Pd	156W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	8mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Serie SIHH
	Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 0.158Ω
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC
	Effektafsættelse maks. Pd 156W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 8mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHH150N60E-T1-GE3

Vishay SIHH seriens MOSFET, 600 V drain source spænding, 19 A kontinuerlig drain strøm - SIHH150N60E-T1-GE3

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt termisk område og er pakket til overflademontering, hvilket gør den velegnet til kompakte strømsamlinger, hvor kontrolleret omskiftning af høje spændinger er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 600 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 19 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,158 Ω Rds(on) reducerer ledningstab ved driftsstrøm • 36 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig koblingsenergi • 156 W maksimal effekttab styrer termisk belastning i design • 30 V portgrænse til standard portdrevspændinger

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og invertere • Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev • Anvendes til switch-mode strømkonvertering i automatiseringssystemer • Kan bruges til omskiftning af højspændingsbelastning i testudstyr

Hvilke ekstreme temperaturer kan den tolerere under drift?

Den er klassificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket muliggør brug i barske termiske miljøer.

Hvordan monteres enheden i kompakte strømmoduler?

Den leveres i en PowerPAK 8x8 overflademonteret pakke med fire ben til printmontering med lav profil.

Hvilke gate-drive-begrænsninger skal overholdes?

Gate-kilde-spændingen må ikke overstige 30 V for at undgå at overskride gategrænserne.

Hvordan påvirker dens hus termisk håndtering?

PowerPAK 8x8 overfladepakken kombineret med 156 W dissipationsgrad muliggør effektiv varmeoverførsel, når den parres med passende PCB termisk design.