Vishay N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- RS-varenummer:
- 279-9914
- Producentens varenummer:
- SIHH150N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 41,66
(ekskl. moms)
Kr. 52,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 41,66 |
| 50 - 99 | Kr. 40,84 |
| 100 - 249 | Kr. 39,94 |
| 250 - 999 | Kr. 39,12 |
| 1000 + | Kr. 38,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9914
- Producentens varenummer:
- SIHH150N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | SIHH | |
| Emballagetype | PowerPAK 8 x 8 L | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.158Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie SIHH | ||
Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.158Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHH seriens MOSFET, 600 V maksimal drain-kildespænding, 19 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHH150N60E-T1-GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanalenhed, der er designet til strømkobling i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og understøtter en betydelig kontinuerlig strøm, hvilket gør den velegnet til krævende elektroniske systemer, der kræver robust spændingshåndtering og termisk modstandsdygtighed.
Egenskaber og fordele:
• 600 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 19 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.158 Ω lav modstand ved tænding reducerer ledningstab
• 156 W effekttab muliggør forøget termisk belastning
• 36 nC gate-ladning giver forudsigelig koblingsydeevne
• Vgs 30 V portgrænse giver beskyttelse mod portoverspænding
• 19 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.158 Ω lav modstand ved tænding reducerer ledningstab
• 156 W effekttab muliggør forøget termisk belastning
• 36 nC gate-ladning giver forudsigelig koblingsydeevne
• Vgs 30 V portgrænse giver beskyttelse mod portoverspænding
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere
• Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver stærk strømkapacitet
• Kan bruges til robust strømkobling i telekommunikationssystemer
• Velegnet til kompakte overflademonterede strømmoduler
• Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver stærk strømkapacitet
• Kan bruges til robust strømkobling i telekommunikationssystemer
• Velegnet til kompakte overflademonterede strømmoduler
Hvilke termiske forhold kan den modstå under drift?
Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med ekstreme temperaturområder.
Hvilken monteringstype kræves der til printkortintegration?
Den leveres i en PowerPAK 8x8-pakke til overflademontering, der er beregnet til direkte printlodning.
Hvor mange elektriske forbindelser giver komponenten?
Enheden har en 4-benet konfiguration til at interagere med krav til port-, drain- og kildelayout.
Hvilken kanalledningsstilstand bruger den til omskiftning?
Det er en N-kanal-enhed med forstærkning, der leder, når en positiv gate-source-spænding påføres.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay N-Kanal 42 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay N-Kanal 19 A 60 V N PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 47 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-Kanal 33 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH