Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 41,66

(ekskl. moms)

Kr. 52,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 41,66
50 - 99Kr. 40,84
100 - 249Kr. 39,94
250 - 999Kr. 39,12
1000 +Kr. 38,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9914
Producentens varenummer:
SIHH150N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

PowerPAK 8 x 8 L

Serie

SIHH

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.158Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Effektafsættelse maks. Pd

156W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

8mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

4. generation af E-seriens teknologi

Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet

Avalanche-energimærke

Reduceret skifte- og ledningstab

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.