Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 42,64

(ekskl. moms)

Kr. 53,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 42,64
50 - 99Kr. 41,81
100 - 249Kr. 40,92
250 - 999Kr. 40,02
1000 +Kr. 39,34

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9914
Producentens varenummer:
SIHH150N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SIHH

Emballagetype

PowerPAK 8 x 8 L

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.158Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

156W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

36nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

8mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

4. generation af E-seriens teknologi

Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet

Avalanche-energimærke

Reduceret skifte- og ledningstab

Relaterede links