Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 19 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 851-496
- Producentens varenummer:
- SIHH150N60E-T1-FE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 37,55
(ekskl. moms)
Kr. 46,94
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 37,55 |
| 10 - 99 | Kr. 24,61 |
| 100 - 499 | Kr. 18,33 |
| 500 - 999 | Kr. 15,33 |
| 1000 + | Kr. 14,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 851-496
- Producentens varenummer:
- SIHH150N60E-T1-FE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0Ω | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 Qualified | |
| Længde | 6mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0Ω | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 Qualified | ||
Længde 6mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay Power MOSFET er designet til at levere høj effektivitet i strømstyringsanvendelser og optimerer ydeevnen i krævende miljøer.
Anvender avanceret E-serieteknologi for forbedret energieffektivitet
Tilbyder lav fortjenstfaktor, hvilket forbedrer den samlede ydeevne
Reducerer lednings- og koblingstab betydeligt for øget levetid
Avalanche-klassificeret, hvilket sikrer pålidelig drift under ekstreme forhold