Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 600 V Forbedring, 8 Ben, 8x8LR, SIHR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 52,51

(ekskl. moms)

Kr. 65,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.964 enhed(er) afsendes fra 02. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 52,51
50 - 99Kr. 39,49
100 - 249Kr. 34,93
250 - 999Kr. 34,18
1000 +Kr. 33,59

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9929
Producentens varenummer:
SIHR080N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

51A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SIHR

Emballagetype

8x8LR

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.084Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

500W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Portkildespænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

8mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

4. generation af E-seriens teknologi

Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet

Avalanche-energimærke

Reduceret skifte- og ledningstab

Relaterede links