Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 51 A 600 V Forbedring, 8 Ben, 8x8LR, E
- RS-varenummer:
- 279-9929
- Producentens varenummer:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 49,52
(ekskl. moms)
Kr. 61,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.964 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 49,52 |
| 50 - 99 | Kr. 37,25 |
| 100 - 249 | Kr. 32,91 |
| 250 - 999 | Kr. 32,31 |
| 1000 + | Kr. 31,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9929
- Producentens varenummer:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | 8x8LR | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.084Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype 8x8LR | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.084Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 51 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHR080N60E-T1-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings, N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til krævende strømkonverterings- og koblingsroller i overflademonterede anvendelser. Den tilbyder en kombination af høj blokeringsspænding, betydelig kontinuerlig strømkapacitet og en mærkespænding, der er velegnet til almindelige drivkretser, hvilket gør den velegnet til systemer, der har brug for kompakt, højeffektskobling i begrænsede layouter.
Egenskaber og fordele:
• 600 V blokeringsevne muliggør brug af højspændingssystemer
• 51 A kontinuerlig strøm understøtter håndtering af kraftige belastninger
• 0.084 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 500 W effekttab muliggør vedvarende høj effekthåndtering
• 63 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig skifteadfærd
• 30 V portklassificering beskytter mod for store portdrevspændinger
• 51 A kontinuerlig strøm understøtter håndtering af kraftige belastninger
• 0.084 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 500 W effekttab muliggør vedvarende høj effekthåndtering
• 63 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig skifteadfærd
• 30 V portklassificering beskytter mod for store portdrevspændinger
Anvendelser
• Velegnet til højspændings-switch-mode-strømforsyninger
• Ideel til industrielle motordrev, frontender
• Anvendes sammen med invertertrin for vedvarende energi
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionskredsløb
• Velegnet til mellemsvejsning og induktionsopvarmning
• Ideel til industrielle motordrev, frontender
• Anvendes sammen med invertertrin for vedvarende energi
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionskredsløb
• Velegnet til mellemsvejsning og induktionsopvarmning
Hvilket temperaturområde kan den tåle i barske miljøer?
Den fungerer over -55 °C til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug under brede termiske forhold uden reduktion til moderate temperaturer.
Hvordan understøtter pakken kompakte printkortdesign?
Det 8-benede, overflademonterede 8x8LR-fodaftryk muliggør tæt pladsering af kortet, samtidig med at det giver tilstrækkelig termisk og elektrisk tilslutning.
Hvad er den fremadgående spænding under ledning og dens indvirkning?
Den typiske fremadgående spænding er 1,2 V, hvilket påvirker spændingsfaldet i tændt tilstand og skal tages i betragtning ved termiske og effektivitetsberegninger.
Er denne enhed velegnet til krav til specifikationer for biler?
Det er ikke specificeret som bilkvalitet, så det antages ikke at være i overensstemmelse med bilkvalitetsstandarder for køretøjselektronik.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 51 A 600 V Forbedring 8x8LR, E
- Vishay N-Kanal 51 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 32 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 32 A 650 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 8 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay N-Kanal 22 A 600 V Forbedring TO-263, E