Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 600 V Forbedring, 8 Ben, 8x8LR, SIHR

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 60.132,00

(ekskl. moms)

Kr. 75.165,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 20,044Kr. 60.132,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
279-9928
Producentens varenummer:
SIHR080N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

51A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

8x8LR

Serie

SIHR

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.084Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

500W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

8mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

4. generation af E-seriens teknologi

Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet

Avalanche-energimærke

Reduceret skifte- og ledningstab

Relaterede links