Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101 SIR4604LDP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 55,95

(ekskl. moms)

Kr. 69,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 6.025 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 11,19Kr. 55,95
50 - 245Kr. 10,502Kr. 52,51
250 - 495Kr. 9,514Kr. 47,57
500 - 1245Kr. 8,962Kr. 44,81
1250 +Kr. 8,378Kr. 41,89

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0276
Producentens varenummer:
SIR4604LDP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

51A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Udtømning

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

5.15 mm

Længde

6.15mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links