Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 12.177,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.222,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,059Kr. 12.177,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
252-0274
Producentens varenummer:
SIR4604LDP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

51A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Udtømning

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.15 mm

Længde

6.15mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links