Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 63.7 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101 SiR516DP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 84,60

(ekskl. moms)

Kr. 105,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 16,92Kr. 84,60
50 - 120Kr. 15,902Kr. 79,51
125 - 245Kr. 14,376Kr. 71,88
250 - 495Kr. 13,538Kr. 67,69
500 +Kr. 12,686Kr. 63,43

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-8651
Producentens varenummer:
SiR516DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

63.7A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01Ω

Kanalform

Udtømning

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay TrenchFET er Gen IV power N-kanal MOSFET, der kører ved 100 V. Denne MOSFET bruges til strømforsyning, motorstyring og synkron ensretning.

Meget lav modstand

UIS testet

Relaterede links