Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 218 A 100 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SiDR626LEP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 60,96

(ekskl. moms)

Kr. 76,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 30,48Kr. 60,96
20 - 98Kr. 28,65Kr. 57,30
100 - 198Kr. 25,88Kr. 51,76
200 - 498Kr. 24,42Kr. 48,84
500 +Kr. 22,89Kr. 45,78

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-8617
Producentens varenummer:
SiDR626LEP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

218A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0021Ω

Kanalform

Udtømning

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

120W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

125°C

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay TrenchFET er Gen IV Power N-kanal MOSFET, som kører ved 60 V og 175 oC temperatur. Denne MOSFET, der bruges til solcelledekortere, motordrevkontakt og synkron ensretning.

Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel

Meget lav modstand

UIS testet

Relaterede links