Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 415 A 100 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 32.379,00

(ekskl. moms)

Kr. 40.473,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 10,793Kr. 32.379,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
239-8614
Producentens varenummer:
SiDR220EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

415A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00082Ω

Kanalform

Udtømning

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

120W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

125°C

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay TrenchFET er Gen IV Power N-kanal MOSFET, som kører ved 25 V og 175 oC temperatur. Denne MOSFET bruges til høj effekttæthed, synkron buck-konverter og belastningsskift.

Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel

Lavt effekttab

UIS testet

Relaterede links