Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 218 A 100 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 28.005,00

(ekskl. moms)

Kr. 35.007,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 9,335Kr. 28.005,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
239-8616
Producentens varenummer:
SiDR626LEP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

218A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0021Ω

Kanalform

Udtømning

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

120W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay TrenchFET er Gen IV Power N-kanal MOSFET, som kører ved 60 V og 175 oC temperatur. Denne MOSFET, der bruges til solcelledekortere, motordrevkontakt og synkron ensretning.

Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel

Meget lav modstand

UIS testet

Relaterede links