Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 126 A 30 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 28.014,00

(ekskl. moms)

Kr. 35.016,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 9,338Kr. 28.014,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
252-0250
Producentens varenummer:
SIDR5102EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

126A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Udtømning

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links