Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 126 A 30 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR5102EP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 56,40

(ekskl. moms)

Kr. 70,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.890 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 28,20Kr. 56,40
20 - 98Kr. 26,515Kr. 53,03
100 - 198Kr. 24,01Kr. 48,02
200 - 498Kr. 22,59Kr. 45,18
500 +Kr. 21,13Kr. 42,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0251
Producentens varenummer:
SIDR5102EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

126A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Udtømning

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links