Vishay N-Kanal, MOSFET, 415 A 100 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-8615
- Producentens varenummer:
- SiDR220EP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 73,53
(ekskl. moms)
Kr. 91,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.022 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 36,765 | Kr. 73,53 |
| 20 - 98 | Kr. 34,52 | Kr. 69,04 |
| 100 - 198 | Kr. 31,265 | Kr. 62,53 |
| 200 - 498 | Kr. 29,435 | Kr. 58,87 |
| 500 + | Kr. 27,60 | Kr. 55,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8615
- Producentens varenummer:
- SiDR220EP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 415A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8DC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00082Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46.1nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 120W | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 415A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8DC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00082Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46.1nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 120W | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Bredde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET er Gen IV Power N-kanal MOSFET, som kører ved 25 V og 175 oC temperatur. Denne MOSFET bruges til høj effekttæthed, synkron buck-konverter og belastningsskift.
Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel
Lavt effekttab
UIS testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 415 A 100 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 218 A 100 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 90.5 A 100 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 153 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 39.6 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 148 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 78 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 126 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8DC AEC-Q101