Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 415 A 100 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 24,31

(ekskl. moms)

Kr. 30,388

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.022 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 12,155Kr. 24,31
20 - 98Kr. 11,855Kr. 23,71
100 - 198Kr. 11,52Kr. 23,04
200 - 498Kr. 11,22Kr. 22,44
500 +Kr. 10,96Kr. 21,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-8615
Producentens varenummer:
SiDR220EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

415A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00082Ω

Kanalform

Udtømning

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

120W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay TrenchFET er Gen IV Power N-kanal MOSFET, som kører ved 25 V og 175 oC temperatur. Denne MOSFET bruges til høj effekttæthed, synkron buck-konverter og belastningsskift.

Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel

Lavt effekttab

UIS testet

Relaterede links

Recently viewed