Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 415 A 100 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SiDR220EP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 24,31

(ekskl. moms)

Kr. 30,388

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 4.022 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 12,155Kr. 24,31
20 - 98Kr. 11,855Kr. 23,71
100 - 198Kr. 11,52Kr. 23,04
200 - 498Kr. 11,22Kr. 22,44
500 +Kr. 10,96Kr. 21,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-8615
Producentens varenummer:
SiDR220EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

415A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00082Ω

Kanalform

Udtømning

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

120W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay TrenchFET er Gen IV Power N-kanal MOSFET, som kører ved 25 V og 175 oC temperatur. Denne MOSFET bruges til høj effekttæthed, synkron buck-konverter og belastningsskift.

Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel

Lavt effekttab

UIS testet

Relaterede links