Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101 SIR512DP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 93,87

(ekskl. moms)

Kr. 117,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 18,774Kr. 93,87
50 - 120Kr. 17,652Kr. 88,26
125 - 245Kr. 15,962Kr. 79,81
250 - 495Kr. 15,004Kr. 75,02
500 +Kr. 14,078Kr. 70,39

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-8647
Producentens varenummer:
SIR512DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01Ω

Kanalform

Udtømning

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Driftstemperatur maks.

125°C

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay TrenchFET er Gen IV power N-kanal MOSFET, der kører ved 100 V. Denne MOSFET bruges til strømforsyning, motorstyring og synkron ensretning.

Meget lav modstand

UIS testet

Relaterede links