Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 45.3 A 70 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2922
- Producentens varenummer:
- SiS178LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 5.307,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.633,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,769 | Kr. 5.307,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2922
- Producentens varenummer:
- SiS178LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 70V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 70V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal er 70 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiS178LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiS176LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 65 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 30 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 27 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej