Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 8.904,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.130,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,968Kr. 8.904,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-7077
Producentens varenummer:
SISA10DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.12mm

Længde

3.4mm

Bredde

3.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links