Vishay Type N, Type N-Kanal, MOSFET, 67.4 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2929
- Producentens varenummer:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 228-2929
- Producentens varenummer:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 67.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8SH | |
| Monteringstype | Overflade, Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.25mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 26.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 67.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8SH | ||
Monteringstype Overflade, Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.25mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 26.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanals 30 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 67 8 ben TrenchFET SiSH536DN-T1-GE3
- Vishay P-kanal-Kanal -104 A -20 V Forbedring PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 24 8 ben TrenchFET SiS890ADN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212-8SH, SiSHA04DN
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 23 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 27 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET