Vishay P-kanal-Kanal, MOSFET, -104 A -20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 735-266
- Producentens varenummer:
- SISH521EDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 5,42
(ekskl. moms)
Kr. 6,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 5,42 |
| 25 - 99 | Kr. 3,59 |
| 100 + | Kr. 1,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-266
- Producentens varenummer:
- SISH521EDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -104A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -20V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8SH | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.006Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±12 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 102nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Højde | 0.98mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -104A | ||
Drain source spænding maks. Vds -20V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8SH | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.006Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±12 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 102nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Højde 0.98mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 67 8 ben TrenchFET SiSH536DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212-8SH, SiSHA04DN
- Vishay N-kanal-Kanal 85 A 12 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 23 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 27 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
