Vishay N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (2 enheder, i en pose med 2)*

Kr. 27,98

(ekskl. moms)

Kr. 34,98

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pose*
2 - 18Kr. 13,99Kr. 27,98
20 - 98Kr. 13,165Kr. 26,33
100 - 198Kr. 11,855Kr. 23,71
200 - 498Kr. 11,145Kr. 22,29
500 +Kr. 10,51Kr. 21,02

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
768-9307
Producentens varenummer:
SISA04DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Gennemgangsspænding Vf

730mV

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-16V, +20V

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.15mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.15mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.