Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISA04DN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pose af 2 enheder)*

Kr. 24,09

(ekskl. moms)

Kr. 30,112

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 14. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pose*
2 - 18Kr. 12,045Kr. 24,09
20 - 98Kr. 11,295Kr. 22,59
100 - 198Kr. 10,175Kr. 20,35
200 - 498Kr. 9,575Kr. 19,15
500 +Kr. 9,015Kr. 18,03

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
768-9307
Producentens varenummer:
SISA04DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.73V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Længde

3.15mm

Bredde

3.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links