Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiSH892BDN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 55,95

(ekskl. moms)

Kr. 69,94

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.970 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,595Kr. 55,95
100 - 240Kr. 5,303Kr. 53,03
250 - 490Kr. 4,189Kr. 41,89
500 - 990Kr. 3,912Kr. 39,12
1000 +Kr. 2,962Kr. 29,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2931
Producentens varenummer:
SiSH892BDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

30.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17.4nC

Effektafsættelse maks. Pd

29W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links