Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 85 A 12 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 4,37

(ekskl. moms)

Kr. 5,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 24Kr. 4,37
25 - 99Kr. 2,89
100 +Kr. 1,49

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-237
Producentens varenummer:
SISF12EDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

85A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

45.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

69.4W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Bredde

3.3 mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Relaterede links