Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 85 A 12 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 4,94

(ekskl. moms)

Kr. 6,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 24Kr. 4,94
25 - 99Kr. 3,29
100 +Kr. 1,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-237
Producentens varenummer:
SISF12EDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

85A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

69.4W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

45.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.