Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 92,60

(ekskl. moms)

Kr. 115,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 4.320 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 4,63Kr. 92,60
200 - 480Kr. 3,658Kr. 73,16
500 - 980Kr. 3,239Kr. 64,78
1000 - 1980Kr. 2,779Kr. 55,58
2000 +Kr. 2,315Kr. 46,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
814-1323
Producentens varenummer:
SISS27DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

92nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Højde

0.78mm

Bredde

3.3 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links