Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 92,60

(ekskl. moms)

Kr. 115,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 4.320 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 4,63Kr. 92,60
200 - 480Kr. 3,658Kr. 73,16
500 - 980Kr. 3,239Kr. 64,78
1000 - 1980Kr. 2,779Kr. 55,58
2000 +Kr. 2,315Kr. 46,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
814-1323
Producentens varenummer:
SISS27DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

92nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Højde

0.78mm

Bredde

3.3 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links