Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 122,46

(ekskl. moms)

Kr. 153,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 160 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 6,123Kr. 122,46
200 - 480Kr. 4,84Kr. 96,80
500 - 980Kr. 4,286Kr. 85,72
1000 - 1980Kr. 3,673Kr. 73,46
2000 +Kr. 3,06Kr. 61,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
814-1323
Producentens varenummer:
SISS27DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

92nC

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.78mm

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.