Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 127.5 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 313,40

(ekskl. moms)

Kr. 391,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 6,268Kr. 313,40
100 - 200Kr. 5,015Kr. 250,75
250 - 450Kr. 4,389Kr. 219,45
500 - 1200Kr. 3,635Kr. 181,75
1250 +Kr. 3,385Kr. 169,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6849
Producentens varenummer:
SiSS63DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

127.5A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen III

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

236nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Portkildespænding maks.

±12 V

Effektafsættelse maks. Pd

65.8W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.3 mm

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SiSS63DN-T1-GE3 er en P-kanal 20 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III p-kanal power-MOSFET

Lederskab RDS(on) i kompakt og termisk forbedret pakke

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links