Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 108 A 45 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 200-6846
- Producentens varenummer:
- SISS50DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 8.994,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.244,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,998 | Kr. 8.994,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6846
- Producentens varenummer:
- SISS50DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 108A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 45V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 3.3mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 108A | ||
Drain source spænding maks. Vds 45V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 3.3mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SISS50DN-T1-GE3 er en N-kanal 45 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav RDS(on) i et kompakt og termisk forbedret hus
Optimeret Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer switching-relateret tab
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 108 A 45 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 52 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 60 A 25 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type P-Kanal 127.5 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- Vishay N-kanal-Kanal 461 A 60 V N PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV
- Vishay N-kanal-Kanal 361 A 80 V N PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV