Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 108 A 45 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV Nej SISS50DN-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 8.376,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.470,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,792Kr. 8.376,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6846
Producentens varenummer:
SISS50DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

108A

Drain source spænding maks. Vds

45V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

70nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SISS50DN-T1-GE3 er en N-kanal 45 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS(on) i et kompakt og termisk forbedret hus

Optimeret Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer switching-relateret tab

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links