Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 461 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 790-428
- Producentens varenummer:
- SIJK4610-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 50 enheder)*
Kr. 1.575,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.969,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 31,506 | Kr. 1.575,30 |
| 500 - 2450 | Kr. 19,578 | Kr. 978,90 |
| 2500 - 4950 | Kr. 15,107 | Kr. 755,35 |
| 5000 + | Kr. 10,236 | Kr. 511,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 790-428
- Producentens varenummer:
- SIJK4610-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 461A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0012Ω | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 446W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 10mm | |
| Længde | 12mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 461A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0012Ω | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 446W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 10mm | ||
Længde 12mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N-kanals MOSFET leverer fremragende ydeevne til forskellige anvendelser. Med et robust design minimerer den effekttab og giver fremragende ledningseffektivitet, hvilket gør den ideel til strømstyringssystemer.
Driftsspænding på 60 V forbedrer systempålideligheden
Har lav modstand i tændt tilstand for reduceret effekttab
Kelvin-tilslutning reducerer støjinterferens mellem porte betydeligt
Robust kontinuerlig afløbsstrømkapacitet på 77 A sikrer optimal ydeevne
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 361 A 80 V N PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 108 A 45 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 52 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 60 A 25 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 245 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 445 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101