Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 361 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 50 enheder)*

Kr. 1.575,30

(ekskl. moms)

Kr. 1.969,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr bånd*
50 - 200Kr. 31,506Kr. 1.575,30
250 +Kr. 30,625Kr. 1.531,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
790-429
Producentens varenummer:
SIJK4810-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

361A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0018Ω

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

160nC

Effektafsættelse maks. Pd

446W

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

10mm

Længde

12mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N-kanals MOSFET er designet til effektiv strømstyring i forskellige anvendelser, med en Advanced TrenchFET Gen IV-teknologi, der reducerer ledningstab og forbedrer den samlede ydeevne.

Fungerer med en drain-source-spænding på op til 80 V

Giver en lav on-state modstand på 0,0018 Ω ved 10 V gate-source-spænding

Mærket til kontinuerlig afløbsstrøm på 361 A

Har Kelvin-kildetilslutning for at minimere gate-støj

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.