Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 361 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 50 enheder)*

Kr. 1.575,30

(ekskl. moms)

Kr. 1.969,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr bånd*
50 - 450Kr. 31,506Kr. 1.575,30
500 - 2450Kr. 19,578Kr. 978,90
2500 - 4950Kr. 15,107Kr. 755,35
5000 +Kr. 10,236Kr. 511,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
790-429
Producentens varenummer:
SIJK4810-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

361A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

TrenchFET Gen IV

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0018Ω

Kanalform

N

Effektafsættelse maks. Pd

446W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

160nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

12mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

10mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N-kanals MOSFET er designet til effektiv strømstyring i forskellige anvendelser, med en Advanced TrenchFET Gen IV-teknologi, der reducerer ledningstab og forbedrer den samlede ydeevne.

Fungerer med en drain-source-spænding på op til 80 V

Giver en lav on-state modstand på 0,0018 Ω ved 10 V gate-source-spænding

Mærket til kontinuerlig afløbsstrøm på 361 A

Har Kelvin-kildetilslutning for at minimere gate-støj

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.